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参数资料
| 型号： | AM29DS163DT120WAK |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位的CMOS 1.8伏只，同时作业快闪记忆体 |
| 文件页数： | 38/50页 |
| 文件大小： | 1682K |
| 代理商： | AM29DS163DT120WAK |
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38
Am29DS163D
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
100
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
10
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
40
40
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
100
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 15. BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
Figure 16. BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
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PDF描述 |
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