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参数资料
| 型号： | AOD458 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 250V 14A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1353-6 |
AOD458
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
25
100
V DS =40V
-55°C
20
10V
10
15
6.5V
125°C
10
5
6V
1
25°C
0
0
5
10
15
20
V GS =5.5V
25
30
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.2
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
1.0
2.5
V GS =10V
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS =10V
2
1.5
1
0.5
I D =7A
0.0
0
5
10
15
20
25
30
0
I D (A)
-100
-50
0
50
100
150
200
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
1.2
I D =30A
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+02
1.1
1.0E+01
40
1.0E+00
125°C
1
125°C
1.0E-01
25°C
1.0E-02
0.9
0.8
25°C
1.0E-03
1.0E-04
-100
-50
0
50 100 150 200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T J ( o C)
Figure 5: Break Down vs. Junction Temperature
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Rev0: April 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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