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参数资料
| 型号： | AOD458 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 250V 14A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1353-6 |
AOD458
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
180
150
15
12
120
9
90
60
30
0
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
400
300
200
100
0
T CASE (°C)
Figure 12: Power De-rating (Note B)
T CASE (°C)
Figure 13: Current De-rating (Note B)
T A =25°C
0.01
0.1
1
Pulse Width (s)
10 100
1000
Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note G)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
0.01
R θ JA =55°C/W
P D
0.001
Single Pulse
T on
T
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
Pulse Width (s)
Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Rev0: April 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOK42S60L | MOSFET N-CH 600V 39A TO247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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