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参数资料
| 型号： | AON7426 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON7426
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
120
100
10V
4.5V
4V
100
80
V DS =5V
6V
80
60
3.5V
60
40
40
125 ° C
20
0
V GS =3V
20
0
25 ° C
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
10
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
2
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
8
V GS =4.5V
1.8
1.6
V GS =10V
I D =18A
6
1.4
17
5
4
2
0
15
0
V GS =10V
5 10 15 20 25 30 35
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1.2
1
0.8
0
1.0E+02
2
V GS =4.5V 10
I D =14A
25 50 75 100 125 150 175
Temperature (°C) 0
Figure 4: On-Resistance vs. Junction 18 Temperature
(Note E)
I D =18A
1.0E+01
12
125 ° C
40
1.0E+00
9
6
1.0E-01
29
1.0E-02
1.0E-03
125 ° C
25 ° C
3
0
25 ° C
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6 8 10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev. 2.0: March 2013
www.aosmd.com
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