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参数资料
| 型号： | AON7426 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON7426
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
50
T A =25 ° C
T A =100 ° C
40
100
30
T A =150 ° C
20
10
T A =125 ° C
10
1
0
1
10 100
Time in avalanche, t A ( μ s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
1000
0
25 50 75 100 125
T CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
150
(Note C)
60
10000
T A =25 ° C
50
1000
40
17
30
20
100
5
2
10
10
10
0
1
0
25
50
75 100 125
150
0.00001
0.001 0.1 10 1000
18
T CASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
0.01
0.001
R θ JA =75 ° C/W
Single Pulse
40
29
P D
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev. 2.0: March 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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