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参数资料
| 型号： | AON7426 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON7426
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
V DS =15V
2400
8
I D =18A
2000
C iss
1600
6
1200
4
800
C oss
2
400
0
0
C rss
0
5 10 15 20 25 30
35
0
5
10 15 20 25
30
1000.0
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
200
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150 ° C
100.0
10.0
R DS(ON)
10 μ s
10 μ s
100 μ s
160
120
T C =25 ° C
17
1ms
5
1.0
T J(Max) =150 ° C
DC
10ms
80
2
10
0.1
T C =25 ° C
40
0.0
0.01
0.1
1
V DS (Volts)
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1 0
10
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
Pulse Width (s) 18
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-Case
(Note F)
10
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
R θ JC =4.2 ° C/W
40
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
29
0.1
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev. 2.0: March 2013
www.aosmd.com
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