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参数资料
| 型号： | AUIRFR120ZTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRFR/U120Z
Ordering Information
Base part
Package Type
Standard Pack
Form
Quantity
Complete Part Number
AUIRFR120Z
AUIRFU120Z
DPak
IPak
Tube
Tape and Reel
Tape and Reel Left
Tape and Reel Right
Tube
75
2000
3000
3000
75
AUIRFR120Z
AUIRFR120ZTR
AUIRFR120ZTRL
AUIRFR120ZTRR
AUIRFU120Z
www.irf.com
13
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFR120ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR120ZTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| AUIRFR2307ZTR | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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