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参数资料
| 型号： | AUIRFR120ZTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRFR/U120Z
10
Duty Cycle = Single Pulse
Allowed avalanche Current vs
avalanche pulsewidth, tav
1
0.1
0.01
0.01
0.05
0.10
assuming ? Tj = 25°C due to
avalanche losses. Note: In no
case should Tj be allowed to
exceed Tjmax
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
tav (sec)
Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
20
16
12
8
4
TOP Single Pulse
BOTTOM 1% Duty Cycle
ID = 5.2A
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of T jmax . This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT jmax is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 12a, 12b.
4. P D (ave) = Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. I av = Allowable avalanche current.
7. ? T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed
0
25
50
75
100
125
150
175
T jmax (assumed as 25°C in Figure 15, 16).
t av = Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t av ·f
8
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 16. Maximum Avalanche Energy
Vs. Temperature
Z thJC (D, t av ) = Transient thermal resistance, see figure 11)
P D (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = D T/ Z thJC
I av = 2 D T/ [1.3·BV·Z th ]
E AS (AR) = P D (ave) ·t av
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFR4105ZTR | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK |
| AUIRLR024NTR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| AUIRLR2703TR | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| AW24MUFL-H2 | 2.4GHZ WIRELESS MODULE U.FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFR120ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR120ZTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307Z | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307ZTR | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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