- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录396 > AUIRFR120ZTR (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | AUIRFR120ZTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRFR/U120Z
VDS
L
15V
DRIVER
80
60
ID
TOP 0.9A
1.2
BOTTOM 5.2A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
40
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
20
V (BR)DSS
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J, Junction Temperature (°C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Q G
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
10 V
Q GS
Q GD
5.0
V G
4.0
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
3.0
ID = 250μA
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
D.U.T.
+
V
2.0
V GS
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
3mA
I G
I D
T J , Temperature ( °C )
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFR4105ZTR | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK |
| AUIRLR024NTR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| AUIRLR2703TR | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| AW24MUFL-H2 | 2.4GHZ WIRELESS MODULE U.FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFR120ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR120ZTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307Z | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307ZTR | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFR2307ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。