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参数资料
型号： BF1206F
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1206F<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件页数： 10/21页
文件大小： 320K
代理商： BF1206F
BF1206F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
10 of 21
NXP Semiconductors
BF1206F
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.1.2
Scattering parameters for amplifier A
8.2 Noise data for amplifier A
8.3 Dynamic characteristics for amplifier B
Table 9.
V
DS(A)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; I
D(A)
= 4 mA; V
DS(B)
= 0 V; V
G1-S(B)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
50
0.9923
4.11
2.18
100
0.9930
8.29
2.18
200
0.9877
16.41
2.16
300
0.9802
24.48
2.12
400
0.9705
32.34
2.07
500
0.9596
39.91
2.01
600
0.9483
47.34
1.94
700
0.9361
54.59
1.87
800
0.9239
61.64
1.79
900
0.9129
68.28
1.72
1000
0.9018
74.57
1.64
Scattering parameters for amplifier A
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00038
0.00080
0.00161
0.00233
0.00303
0.00354
0.00394
0.00426
0.00453
0.00457
0.00456
s
22
Magnitude
(ratio)
0.995
0.996
0.995
0.994
0.992
0.989
0.987
0.984
0.981
0.979
0.976
Angle
Magnitude
Angle
(deg)
174.68
169.51
159.20
149.04
138.99
129.15
119.45
109.95
100.69
91.66
82.86
Angle
(deg)
102.27
85.65
80.93
76.76
73.21
69.83
67.19
65.26
63.89
64.06
65.60
Angle
(deg)
1.83
3.75
7.49
11.22
14.96
18.68
22.39
26.11
29.82
33.57
37.31
Table 10.
V
DS(A)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; I
D(A)
= 4 mA.
f (MHz)
Noise data for amplifier A
NF
min
(dB)
opt
ratio
0.78
0.87
r
n
(ratio)
(deg)
26
53
400
800
1.0
1.1
0.84
0.87
Table 11.
Common source; T
amb
= 25
C; V
G2-S
= 2.5 V; V
DS
= 2.8 V; I
D
= 4 mA.
Symbol Parameter
y
fs
forward transfer admittance
C
iss(G1)
input capacitance at gate1
C
iss(G2)
input capacitance at gate2
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer capacitance f = 100 MHz
G
tr
transducer power gain
Dynamic characteristics for amplifier B
Conditions
T
j
= 25
C
f = 100 MHz
f = 100 MHz
f = 100 MHz
Min
-
Typ
22
1.7
4.0
0.85
30
Max Unit
-
2.2
-
-
45
mS
pF
pF
pF
fF
[1]
-
[1]
-
[1]
-
[1]
-
B
S
= B
S(opt)
; B
L
= B
L(opt)
f = 200 MHz; G
S
= 2 mS; G
L
= 0.5 mS
f = 400 MHz; G
S
= 2 mS; G
L
= 1 mS
f = 800 MHz; G
S
= 3.3 mS; G
L
= 1 mS
f = 11 MHz; G
S
= 20 mS; B
S
= 0
f = 400 MHz; Y
S
= Y
S(opt)
f = 800 MHz; Y
S
= Y
S(opt)
[1]
-
-
-
-
-
-
32
29
25
4.5
0.9
1.0
-
-
-
-
1.5
1.6
dB
dB
dB
dB
dB
dB
NF
noise figure
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BF1206 Dual N-channel dual-gate MOSFET
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BF1207 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
BF1207 T/R 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
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BF1208 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
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