型号: | BF1206F |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | MOSFETs |
英文描述: | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
封装: | BF1206F<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,; |
文件页数: | 20/21页 |
文件大小: | 320K |
代理商: | BF1206F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BF1206F,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
BF1207 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
BF1207 T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
BF1207,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
BF1208 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |