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参数资料
型号： BF1206F
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1206F<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件页数： 16/21页
文件大小： 320K
代理商： BF1206F
BF1206F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
16 of 21
NXP Semiconductors
BF1206F
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.3.2
Scattering parameters for amplifier B
8.3.3
Noise data for amplifier B
9. Test information
Table 12.
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; I
D(B)
= 4 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
50
0.9939
3.12
2.27
100
0.9936
6.29
2.26
200
0.9896
12.47
2.25
300
0.9845
18.59
2.23
400
0.9779
24.66
2.20
500
0.9703
30.55
2.16
600
0.9620
36.37
2.13
700
0.9529
42.10
2.08
800
0.9439
47.79
2.04
900
0.9353
53.24
1.99
1000
0.9266
58.46
1.94
Scattering parameters for amplifier B
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00089
0.00170
0.00336
0.00503
0.00642
0.00769
0.00873
0.00967
0.01024
0.01058
0.01074
s
22
Magnitude
(ratio)
0.993
0.993
0.992
0.990
0.988
0.986
0.983
0.980
0.977
0.975
0.973
Angle
Magnitude
Angle
(deg)
176.11
172.41
164.98
157.64
150.35
143.16
136.02
129.01
122.01
115.30
108.64
Angle
(deg)
94.68
84.37
81.29
77.17
73.23
69.72
66.28
63.19
60.51
58.52
57.24
Angle
(deg)
1.62
3.23
6.44
9.65
12.85
16.00
19.18
22.37
25.50
28.66
31.85
Table 13.
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; I
D(B)
= 4 mA.
f (MHz)
Noise data for amplifier B
NF
min
(dB)
opt
ratio
0.8
0.83
r
n
(ratio)
(deg)
19
46
400
800
0.9
1.0
0.9
0.96
Fig 32. Cross-modulation test setup (for one MOSFET)
001aad926
R1
10 k
Ω
RL
50
Ω
L1
≈
2.2
μ
H
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
RG1
C1
4.7 nF
C2
4.7 nF
C3
4.7 nF
C4
4.7 nF
V
AGC
V
GG
DUT
V
DS
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BF1207 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
BF1207 T/R 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1207,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1208 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
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