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参数资料
| 型号： | BMS4007 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9700pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 散装 |
Ordering number : ENA1820
BMS4007
N-Channel Power MOSFET
75V, 60A, 7.8m Ω , TO-220ML(LS)
Features
http://onsemi.com
?
?
?
ON-resistance RDS(on)=6m Ω (typ.)
Input capacitance Ciss=9700pF (typ.)
10V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
75
±20
60
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
240
2.0
30
150
--55 to +150
299
48
A
W
W
° C
° C
mJ
A
Note : * 1 VDD=48V, L=100 μ H, IAV=48A (Fig.1)
* 2 L ≤ 100 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7525-002
Product & Package Information
? Package : TO-220ML(LS)
? JEITA, JEDEC : SC-67, SOT-186A
10.0
3.2
4.5
2.8
? Minimum Packing Quantity : 100 pcs./bag or 50pcs./magazine
Marking Electrical Connection
2
MS4007
LOT No.
1 2 3
1.6
1.2
0.75
0.7
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
1
3
2.55
2.55
TO-220ML(LS)
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
82510QA TK IM TC-00002454 No. A1820-1/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BMS4007-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:50 |
| BMS-4011 | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:BMS-4011 |
| BMS-4208H | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:BMS-4208H |
| BMS-4-C | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BMS-5011 | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:BMS-5011 |
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