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参数资料
| 型号： | BMS4007 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9700pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 散装 |
BMS4007
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 75 V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
75
10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 30 A
2
110
4
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
trr
Qrr
ID= 30 A, VGS=10V
VDS=20V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=48V, VGS=10V, ID=60A
IS=60A, VGS=0V
See Fig.3
IS=60A, VGS=0V, di/dt=100A/ μ s
6
9700
540
360
100
180
460
160
160
40
40
0.9
70
183
7.8
1.2
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
D
L
10V
0V
VIN
VDD=48V
10V
0V
≥ 50 Ω
G
50 Ω
S
BMS4007
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
VIN
G
D
ID=30A
RL=1.6 Ω
VOUT
BMS4007
Fig.3 Reverse Recovery Time Test Circuit
D
BMS4007
L
G
S
VDD
P.G
50 Ω
S
Driver MOSFET
No. A1820-2/5
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参数描述 |
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| BMS4007-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:50 |
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