参数资料
型号: BMS4007
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 毫欧 @ 30A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9700pF @ 20V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220ML
包装: 散装
BMS4007
1m
10
ope
10 ms
rat
0m
i n
s
10
9
8
7
6
5
VDS=48V
ID=60A
VGS -- Qg
7
5
3
2
10
7
5
3
2
10
7
5
3
2
IDP=240A (PW≤10μs)
ID=60A
DC
Operation in
this area is
ASO
o
s
10
10 μ s
0 μ s
4
3
1.0
7
5
3
2
limited by RDS(on).
Single pulse
2
1
0
0
50
100
150
200
0.1
7
5
3 Tc=25 ° C
2
0.01
0.1 2 3 5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15904
35
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT15905
30
2.0
25
1.5
1.0
20
15
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT15906
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15907
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1820-4/5
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参数描述
BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:50
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