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参数资料
| 型号： | BMS4007 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9700pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 散装 |
BMS4007
120
ID -- VDS
Tc=25°C
120
VDS=10V
ID -- VGS
100
80
60
40
20
VGS=4V
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
18
16
14
RDS(on) -- VGS
IT15896
ID=30A
Single pulse
14
12
10
RDS(on) -- Tc
IT15897
Single pulse
12
10
8
Tc=75 ° C
8
6
=1
V GS
0V,
I D=
30
A
6
4
25 ° C
--25 ° C
4
2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
° C
5 °
° C
Tc
75
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
25
C
--2
=
IT15922
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15899
VGS=0V
Single pulse
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT15900
VDD=48V
VGS=10V
3
2
10000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15901
f=1MHz
7
3
5
3
2
tf
2
100
td(on)
tr
1000
7
C o ss
5
Crss
7
3
5
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT15902
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15903
No. A1820-3/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| BMS4007-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:50 |
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