参数资料
型号: BSP250-T
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: JFETs
英文描述: 3 A, 30 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件页数: 2/12页
文件大小: 93K
代理商: BSP250-T
1997 Jun 20
10
Philips Semiconductors
Product specication
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP250
NOTES
相关PDF资料
PDF描述
BSP62-TAPE-13 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSR50-T/R 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BSS81C 800 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
BST MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BT-M515RI 7 SEG NUMERIC DISPLAY, BRIGHT RED, 14.224 mm
相关代理商/技术参数
参数描述
BSP250T/R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-223
BSP254 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP25401.20M 制造商:TE Connectivity 功能描述:CGPT Polyolefin Heatshrink 25.4mm Black
BSP254A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P TO-92 AMMO-BOX 2K
BSP254A AMO 功能描述:MOSFET AMMORA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube