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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
CMF20120D- Silicon Carbide Power MOSFET
Z -F ET TM M OSFET
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
?
High Speed Switching with Low Capacitances
?
High Blocking Voltage with Low R DS(on)
?
Easy to Parallel and Simple to Drive
?
Avalanche Ruggedness
?
Resistant to Latch-Up
?
Halogen Free, RoHS Compliant
TO-247-3
Benefits
?
Higher System Efficiency
?
Reduced Cooling Requirements
?
Increased System Switching Frequency
Applications
V DS
I D(MAX)
R DS(on)
1200 V
42 A
80m ?
?
?
?
?
?
Solar Inverters
High Voltage DC/DC Converters
Motor Drives
Switch Mode Power Supplies
UPS
Part Number
CMF20120D
Package
TO-247-3
Maximum Ratings (T C = 25?C unless otherwise specified)
Symbol
I D
I Dpulse
E AS
E AR
I AR
V GS
P tot
T J , T stg
T L
M d
Parameter
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature
Solder Temperature
Mounting Torque
Value
42
24
90
2.2
1.5
20
-5/+25
215
-55 to
+135
260
1
8.8
Unit
A
A
J
J
A
V
W
?C
?C
Nm
lbf-in
Test Conditions
V GS @20V, T C = 25?C
V GS @20V, T C = 100?C
Pulse width t P limited by T jmax
T C = 25?C
I D = 20A, V DD = 50 V,
L = 9.5 mH
t AR limited by T jmax
I D = 20A, V DD = 50 V, L = 3 mH
t AR limited by T jmax
T C =25?C
1.6mm (0.063”) from case for 10s
M3 or 6-32 screw
Note
Fig. 10
Fig. 15
Fig. 9
1
CMF20120D Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMF20120D | 制造商:Cree 功能描述:N CH SILICON CARBIDE (SiC) POWER MOSFET |
| CMF20120R00GKEK | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 CMF-20 120 2% T-1 EK e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| CMF20120R00JNEA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 CMF-20 120 5% T-00 EA e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| CMF20120R00JNR6 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 1/2watt 120ohms 5% RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| CMF20120R00JNRE | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
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