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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Test Circuit Diagrams and Waveforms
∫
Ic
trr
trr
Qrr= id dt
tx
856μH
CMF20120D
tx
+
-
800V
42.3μf
Vpk
10% Vcc
Irr
10% Irr
Vcc
∫
CMF20120D
Diode Reverse
Recovery Energy
t1
Diode Recovery
Waveforms
t2
Erec= id dt
t1
t2
Fig 22. Body Diode Recovery Test
Fig 23. Body Diode Recovery Waveform
E A = 1/2L x I D2
FOR OFFICIAL USE ONLY – Not Cleared for Open Release
FOR OFFICIAL USE ONLY – Not Cleared for Open Release
Fig 24. Unclamped Inductive Switching Test Circuit
ESD Ratings
Fig 25. Unclamped Inductive Switching waveform
for Avalanche Energy
7
ESD Test
ESD-HBM
ESD-MM
ESD-CDM
CMF20120D Rev. D
Total Devices Sampled
All Devices Passed 1000V
All Devices Passed 400V
All Devices Passed 1000V
Resulting Classification
2 (>2000V)
C (>400V)
IV (>1000V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMFB3950103FNT | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% 0805 |
| CMI01S | LED T1-3/4 CBI RED RED DIFF |
| CMMC-8I-DB | BOARD DEMO FOR CME8000 |
| CMMR-8P-MF | MODULE RCVR CME8000 WO/CPU |
| CMPA0060002F-TB | BOARD DEMO AMP CIRC CMPA0060002 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMF20120D | 制造商:Cree 功能描述:N CH SILICON CARBIDE (SiC) POWER MOSFET |
| CMF20120R00GKEK | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 CMF-20 120 2% T-1 EK e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| CMF20120R00JNEA | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 CMF-20 120 5% T-00 EA e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| CMF20120R00JNR6 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 1/2watt 120ohms 5% RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| CMF20120R00JNRE | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
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