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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance
700
1,000
600
500
400
V GS = 0/20V
R G = 7.5 ? Tot
V DD = 800V
L = 856 μ H
FWD: C4D10120
T A = 25 o C
E TOT,SW
900
800
700
600
E TOT,SW
500
E ON
300
400
200
100
0
E OFF
E ON
300
200
100
0
V GS = 0/20V
R G = 11.8 ? Tot
V DD = 800V
L = 856 μ H
FWD: C4D10120
I D = 20 A
E OFF
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
150
Peak Drain Current (A)
Figure 18. Clamped Inductive Switching Energy vs.
Drain Current (Fig. 20)
+
800V
856μH
T J ( o C)
Figure 19. Clamped Inductive Switching Energy vs.
Junction Temperature (Fig 20)
C4D10120D
10A, 1200V
SiC Schottky
-
V DS
42.3μf
CMF20120D
Figure 20. Clamped Inductive Switching Waveform Test
Circuit
90%
10%
V GS
t d(on)v
t fv
t d(off)v
t rv
t on
t off
Figure 21. Switching Test Waveforms for Transition times
6
CMF20120D Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CMF20120R00JNRE | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
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