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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics (T C = 25?C unless otherwise specified)
Symbol
V (BR)DSS
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Min.
1200
Typ.
Max. Unit
V
Test Conditions
V GS = 0V, I D = 100μA
Note
V GS(th)
I DSS
I GSS
R DS(on)
g fs
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source On-State Resistance
Transconductance
2.65
3.2
2.0
2.45
1
10
80
95
7.9
7.4
4
4.8
100
250
0.25
100
120
V
V
μA
μA
m ?
S
V DS = V GS , I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 10mA
V DS = V GS , I D = 1mA, T J = 135oC
V DS = V GS , I D = 10mA, T J = 135oC
V DS = 1200V, V GS = 0V
V DS = 1200V, V GS = 0V, T J = 135oC
V GS = 20V, V DS = 0V
V GS = 20V, I D = 20A
V GS = 20V, I D = 20A, T J = 135oC
V DS = 20V, I DS = 20A
V DS = 20V, I DS = 20A, T J = 135oC
Fig. 11
Fig. 3
Fig. 6
C iss
Input Capacitance
1915
V GS = 0V
C oss
C rss
E oss
t d(on)v
t fv
t d(off)v
t rv
R G
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss Stored Energy
Turn-On Delay Time
Fall Time
Turn-Off Delay Time
Rise Time
Internal Gate Resistance
120
13
62
13
24
40
38
5
pF
μJ
ns
Ω
V DS = 800V
f = 1MHz
V AC = 25mV
V DD = 800V, V GS = 0/20V
I D = 20A
R G(ext) = 2.5Ω, R L = 40Ω
Timing relative to V DS
f = 1MHz, V AC = 25mV
Fig. 13
Fig. 14
Fig. 17
Built-in SiC Body Diode Characteristics
Symbol
V SD
t rr
Q rr
I rrm
Parameter
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Peak Reverse Recovery Current
Typ.
3.5
3.1
220
142
2.3
Max.
Unit
V
ns
nC
A
Test Conditions
V GS = -5V, I F =10A, T J = 25oC
V GS = -2V, I F =10A, T J = 25oC
V GS = -5V, I F =20A, T J = 25oC
V R = 800V,
d i F /d t= 100A/μs
Note
Fig. 22
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
R θ JC
Thermal Resistance from Junction to Case
0.44
0.51
R θ CS
R θ JA
Case to Sink, w/ Thermal Compound
Thermal Resistance From Junction to Ambient
0.25
40
K/W
Fig. 7
Gate Charge Characteristics
Symbol
Q gs
Q gd
Q g
Parameter
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Gate Charge Total
Typ.
23.8
43.1
90.8
Max.
Unit
nC
Test Conditions
V DD = 800V, V GS = 0/20V
I D =20A
Per JEDEC24 pg 27
Note
Fig.
12
2
CMF20120D Rev. D
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