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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance
120
100
80
60
40
20
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.4
V DS (V)
Figure 1. Typical Output Characteristics T J = 25oC
V DS (V)
Figure 2. Typical Output Characteristics T J = 135oC
250
1.2
200
1
0.8
150
V GS = 20 V
0.6
0.4
V GS = 20 V
100
135 o C
25 o C
50
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T J ( o C)
Figure 3. Normalized On-Resistance vs. Temperature
800
50
I D (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current
700
40
600
500
25 o C
I D = 20 A
30
135 o C
400
300
20
25 o C
200
10
100
0
135 o C
0
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V GS (V)
Figure 5. On-Resistance vs. Gate Voltage
V GS (V)
Figure 6. Typical Transfer Characteristics
3
CMF20120D Rev. D
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| CMF20120D | 制造商:Cree 功能描述:N CH SILICON CARBIDE (SiC) POWER MOSFET |
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