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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance
10000
1000
C iss
10000
1000
C iss
C oss
C oss
100
10
C rss
100
10
C rss
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V DS (V)
V DS (V)
Figure 13A and 13B. Typical Capacitances vs. Drain Voltage at V GS = 0V and f = 1 MHz
70
25
2500
60
50
20
I DS
V DS
2000
40
30
15
10
1500
1000
20
10
5
E AS = 2.20 J
500
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0
0.006
140
V DS (V)
Figure 14. Typical C OSS Stored Energy
Time (s)
Figure 15. Typical Unclamped Inductive Switching
Waveforms Showing Avalanche Capability
140
120
100
80
V GS = 0/20V
V DD = 400V
R L = 20 ?
I D = 20 A
T A = 25 o C
t D(off)v
t rv
120
100
80
V GS = 0/20V
V DD = 800V
R L = 40 ?
I D = 20 A
T A = 25 o C
t D(off)v
t rv
t fv
60
t fv
60
40
20
0
t D(on)v
40
20
0
t D(on)v
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
External Gate Resistor ( Ω )
Figure 16. Resistive Switching Times vs.
External R G at V DD = 400V, I D = 20A
External Gate Resistor ( Ω )
Figure 17. Resistive Switching Times vs.
External R G at V DD = 800V, I D = 20A
5
CMF20120D Rev. D
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PDF描述 |
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