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参数资料
| 型号： | CMF20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 产品培训模块： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 视频文件： | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-FET™ |
| FET 型： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance
1
DC:
100
Limited
t p ≤ 1 μ s
100E-3
0.5
0.3
0.1
0.05
10
by R DS(on)
t p = 10 μ s
t p = 100 μ s
10E-3
1E-3
0.02
0.01
SinglePulse
1
t p = 1 ms
t p = 10 ms
DC
100E-6
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
t p (s)
10E-3
100E-3
1
0.1
1
10
V DS (V)
100
1000
Figure 7. Transient Thermal Impedance (Junction - Case)
with Duty Cycle
250
200
150
100
50
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Figure 8. Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
4.5
4
T C ( o C)
Figure 9. Power Dissipation Derating Curve
25
T C ( o C)
Figure 10. Continuous Current Derating Curve
3.5
3
I D = 10 mA
20
15
2.5
2
1.5
I D = 1 mA
10
5
I D = 20 A
V DD = 800 V
1
0.5
0
0
-75
-50
-25
0
25
T J
( o C)
50
75
100
125
150
-5
0
20
40 60
Gate Charge (nC)
80
100
Figure 11. Gate Threshold Voltage vs.
Temperature
Figure 12. Typical Gate Charge Characteristics
(25°C)
4
CMF20120D Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMF20120D | 制造商:Cree 功能描述:N CH SILICON CARBIDE (SiC) POWER MOSFET |
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