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参数资料
| 型号： | CPH5617-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | 5-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH5617
0.16
ID -- VDS
0.30
VDS=10 V
ID -- VGS
0.14
3.5V
2.0
V
0.25
0.12
4.0V
0.20
0.10
0.08
0.06
V GS=1.5 V
0.15
0.10
0.04
0.05
0.02
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT00029
Ta=25°C
10
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00030
VGS=4V
9
7
8
7
5
6
80mA
Ta=75°C
5
4
3
ID=40mA
3
2
25 ° C
--25 °C
2
1
0
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
RDS(on) -- ID
IT00031
VGS=2.5V
100
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00032
VGS=1.5V
7
5
5
Ta=75 ° C
25 ° C
3
2
3
--25°C
10
7
Ta=75 °C
2
5
3
25 ° C
--25°C
2
1.0
1.0
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
0.001
2
3
5
7
0.01
2
3
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
IT00033
1.0
7
Drain Current, ID -- A
y fs -- ID
IT00034
VDS=10V
6
5
=40
5V
=2. A
V GS
I D=
.0V,
VGS
5 ° C
Ta=
5
4
3
=4
, ID
mA
80m
3
2
0.1
7
--2
25°C
75 ° C
5
2
3
1
0
2
0.01
0.1
--60
--40
--20
0 20 40 60 80 100
Ambient Temperature, Ta -- ° C
120
140 160
IT00035
0.01
2
3
5 7
Drain Current, ID -- A
2
3
5
IT00036
No.7370-3/6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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