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参数资料
| 型号： | CPH5617-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | 5-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH5617
5
3
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
SW Time -- ID
VDD=15V
VGS=4V
2
3
0.1
2
td(off)
tf
7
100
5
7
5
tr
3
3
2
0.01
2
10
td(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
100
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00037
f=1MHz
10
9
VDS=10V
ID=150mA
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT00038
8
3
7
2
6
10
5
7
5
3
Ciss
Coss
Crss
4
3
2
2
1
1.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.30
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
IT00039
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00040
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Amibient Temperature, Ta -- ° C
IT01962
No.7370-4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH5871-TL-H | MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5 |
| CPH6337-TL-E | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
| CPH6341-TL-E | MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 |
| CPH6347-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 |
| CPH6350-TL-E | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH5701 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| CPH5702 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| CPH5703 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| CPH5704 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| CPH5704-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN+SBD 15V 3A SOT346 |
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