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参数资料
| 型号： | CPH6341-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 |
| 产品目录绘图： | CPH6 Package P, N, N/P, Dual N Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 3A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1141-6 |
CPH6341
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Conditions
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
VDS= -- 10V, ID= -- 1mA
VDS= -- 10V, ID= -- 3A
ID= -- 3A, VGS= -- 10V
ID= -- 1.5A, VGS= -- 4.5V
ID= -- 1.5 A, VGS= -- 4V
VDS=--10V, f=1MHz
min
--30
--1.2
2.8
Ratings
typ
4.8
45
71
82
430
105
max
--1
±10
--2.6
59
100
115
Unit
V
M A
M A
V
S
m ?
m ?
m ?
pF
pF
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Crss
td(on)
75
7.5
pF
ns
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
See specified Test Circuit.
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--5A
26
45
35
10
2.0
2.5
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--5A, VGS=0V
--0.87
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --15V
ID= --3A
RL=5 ?
PW=10 M s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 ?
S
CPH6341
Ordering Information
Device
CPH6341-TL-E
CPH6341-TL-W
Package
CPH6
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb-Free
Pb-Free and Halogen Free
No. A1084-2/6
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PDF描述 |
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