参数资料
型号: CPH6341-TL-E
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
产品目录绘图: CPH6 Package P, N, N/P, Dual N Channel Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 59 毫欧 @ 3A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-CPH
包装: 标准包装
产品目录页面: 1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 869-1141-6
CPH6341
--3
--5.0
--4.5
--4.0
ID -- VDS
. 5V
--6
--5
VDS= --10V
ID -- VGS
--3.5
--4
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
--3.0V
VGS= --2.5V
--3
--2
--1
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Ta
0
160
0
--0.1
--0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13379
Ta=25°C
0
160
0
--0.5
--1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--3.5 --4.0
IT13380
140
140
= --1
.0V
= --4
VGS = --1
= --4
VGS --3.0A
, I D=
= --10V
120
100
80
60
40
ID= --1.5A
--3.0A
120
100
80
60
40
VGS
, ID
.5A
.5 V, I D
.5A
20
20
y fs -- ID
5 °
-2
=- C
5 °
2
VGS=0V
0
10
7
5
3
2
1.0
7
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
VDS= --10V
C
Ta 7 5 °
C
--14 --16
IT13381
0
--60 --40 --20
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
0 20 40 60 80 100
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
120
140 160
IT13382
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
SW Time -- ID
VDD= --15V
VGS= --10V
td(off)
tf
Ciss, Coss, Crss -- VDS
0.1
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
tr
td(on)
2
3
5 7 --10
IT13383
--0.01
--0.2
1000
7
5
3
2
100
7
5
--0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13384
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
2
--0.1
2
3
5 7 --1.0 2
Drain Current, ID -- A
3
5
7 --10
IT13385
3
0
--5
--10 --15 --20 --25
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--30
IT13386
No. A1084-3/6
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PDF描述
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