参数资料
型号: CPH6341-TL-E
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
产品目录绘图: CPH6 Package P, N, N/P, Dual N Channel Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 59 毫欧 @ 3A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-CPH
包装: 标准包装
产品目录页面: 1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 869-1141-6
CPH6341
(900mm 2 ? 0.8mm)
ASO
IDP= --20A PW ≤ 10 M s
10
ID= --5A
--10 0 M
1m
s
10
ms
10
0m
--1.0 DC s
7 op
ati
on
5 er
area is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 ? 0.8mm)
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
2.0
0
VDS= --15V
ID= --5A
1 2
VGS -- Qg
3 4 5 6 7 8 9 10
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13387
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
5
3
2
5
3
2
3 Operation in this
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13388
7 s
1.6
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40 60 80 100 120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
140 160
IT13389
No. A1084-4/6
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