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参数资料
| 型号： | CY7C1157V18-333BZXI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 11/27页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | CY7C1157V18-333BZXI |
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CY7C1146V18, CY7C1157V18
CY7C1148V18, CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *D
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Power Up Sequence in DDR-II+ SRAM
During Power Up, when the DOFF is tied HIGH, the DLL gets
locked after 2048 cycles of stable clock. DDR-II+ SRAMs must
be powered up and initialized in a predefined manner to prevent
undefined operations.
Power Up Sequence
■ Apply power with DOFF tied HIGH (All other inputs can be
HIGH or LOW)
Apply VDD before VDDQ
Apply VDDQ before VREF or at the same time as VREF
■ Provide stable power and clock (K, K) for 2048 cycles to lock
the DLL.
DLL Constraints
■ DLL uses K clock as its synchronizing input. The input must
have low phase jitter, which is specified as tKC Var.
■ The DLL functions at frequencies down to 120 MHz.
■ If the input clock is unstable and the DLL is enabled, then the
DLL may lock onto an incorrect frequency, causing unstable
SRAM behavior. To avoid this, provide 2048 cycles stable clock
to relock to the desired clock frequency.
Power Up Waveforms
Figure 5. Power Up Waveforms
K
Fix HIGH (tie to VDDQ)
VDD/VDDQ
DOFF
Clock Start (Clock Starts after VDD/VDDQ is Stable)
Unstable Clock
> 2048 Stable Clock
Start Normal
Operation
~ ~
VDD/VDDQ Stable (< + 0.1V DC per 50 ns)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1157V18-375BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1157V18-375BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
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| CY7C1157V18-375BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1157V18 | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CY7C1163KV18-450BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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