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参数资料
| 型号： | CY7C1157V18-333BZXI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 18/27页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | CY7C1157V18-333BZXI |
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CY7C1146V18, CY7C1157V18
CY7C1148V18, CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *D
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300
CY7C1146V18-300BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1157V18-300BZC
CY7C1148V18-300BZC
CY7C1150V18-300BZC
CY7C1146V18-300BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1157V18-300BZXC
CY7C1148V18-300BZXC
CY7C1150V18-300BZXC
CY7C1146V18-300BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1157V18-300BZI
CY7C1148V18-300BZI
CY7C1150V18-300BZI
CY7C1146V18-300BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1157V18-300BZXI
CY7C1148V18-300BZXI
CY7C1150V18-300BZXI
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PDF描述 |
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