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参数资料
| 型号： | CY7C2561KV18-450BZC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 10/29页 |
| 文件大小： | 839K |
| 代理商： | CY7C2561KV18-450BZC |
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PRELIMINARY
CY7C2561KV18, CY7C2576KV18
CY7C2563KV18, CY7C2565KV18
Document Number: 001-15887 Rev. *E
Page 18 of 29
Table 7. Identification Register Definitions
Instruction Field
Value
Description
CY7C2561KV18
CY7C2576KV18
CY7C2563KV18
CY7C2565KV18
Revision Number
(31:29)
000
Version number.
Cypress Device ID
(28:12)
11010010001000100 11010010001001100 11010010001010100 11010010001100100 Defines the type of
SRAM.
Cypress JEDEC ID
(11:1)
00000110100
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
ID Register
Presence (0)
1111
Indicates the
presence of an ID
register.
Table 8. Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size
Instruction
3
Bypass
1
ID
32
Boundary Scan
109
Table 9. Instruction Codes
Instruction
Code
Description
EXTEST
000
Captures the input and output ring contents.
IDCODE
001
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI and TDO.
This operation does not affect SRAM operation.
SAMPLE Z
010
Captures the input and output contents. Places the boundary scan register between TDI and
TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
RESERVED
011
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
SAMPLE/PRELOAD
100
Captures the input and output ring contents. Places the boundary scan register between TDI
and TDO. Does not affect the SRAM operation.
RESERVED
101
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
RESERVED
110
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
BYPASS
111
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM
operation.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C2566KV18-450BZI | 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| CY7C293AL-35WC | 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24 |
| CY7C474-15DI | 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28 |
| CY7C474-15PI | 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28 |
| CZ12010T0050GBK | 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C2562XV18-366BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C2562XV18-450BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-400BZXI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-450BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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