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参数资料
| 型号： | CY7C2561KV18-450BZC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 18/29页 |
| 文件大小： | 839K |
| 代理商： | CY7C2561KV18-450BZC |
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PRELIMINARY
CY7C2561KV18, CY7C2576KV18
CY7C2563KV18, CY7C2565KV18
Document Number: 001-15887 Rev. *E
Page 25 of 29
Switching Waveforms
Read/Write/Deselect Sequence [32, 33, 34]
Figure 6. Waveform for 2.5 Cycle Read Latency
tKH
tKL
tCYC
tKHKH
t
tSA
HA
SC
HC
tHD
tSC tHC
A0
A1
A2
A3
t
SD
HD
t SD
D11
D10
D12
D13
D30
D31
D32
D33
D
A
WPS
RPS
K
t
NOP
READ
NOP
WRITE
READ
WRITE
1
23
4
56
7
8
CQ
Q
tCQOH
CCQO
t
CLZ
t
CO
tDOH
tCQDOH
CQD
t
tCHZ
tCQOH
CCQO
t
tQVLD
QVLD
DON’T CARE
UNDEFINED
(Read Latency = 2.5 Cycles)
Q00
Q01
Q20
Q02
Q21
Q03
Q22
Q23
tCQH
tCQHCQH
Notes
32. Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, that is, A0+1.
33. Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
34. In this example, if address A2 = A1, then data Q20 = D10, Q21 = D11, Q22 = D12, and Q23 = D13. Write data is forwarded immediately as read results. This note
applies to the whole diagram.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C2566KV18-450BZI | 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| CY7C293AL-35WC | 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24 |
| CY7C474-15DI | 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28 |
| CY7C474-15PI | 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28 |
| CZ12010T0050GBK | 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C2562XV18-366BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C2562XV18-450BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-400BZXI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-450BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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