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参数资料
| 型号： | CY7C2561KV18-450BZC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 20/29页 |
| 文件大小： | 839K |
| 代理商： | CY7C2561KV18-450BZC |
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PRELIMINARY
CY7C2561KV18, CY7C2576KV18
CY7C2563KV18, CY7C2565KV18
Document Number: 001-15887 Rev. *E
Page 27 of 29
450
CY7C2561KV18-450BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C2576KV18-450BZC
CY7C2563KV18-450BZC
CY7C2565KV18-450BZC
CY7C2561KV18-450BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-450BZXC
CY7C2563KV18-450BZXC
CY7C2565KV18-450BZXC
CY7C2561KV18-450BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C2576KV18-450BZI
CY7C2563KV18-450BZI
CY7C2565KV18-450BZI
CY7C2561KV18-450BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-450BZXI
CY7C2563KV18-450BZXI
CY7C2565KV18-450BZXI
400
CY7C2561KV18-400BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C2576KV18-400BZC
CY7C2563KV18-400BZC
CY7C2565KV18-400BZC
CY7C2561KV18-400BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-400BZXC
CY7C2563KV18-400BZXC
CY7C2565KV18-400BZXC
CY7C2561KV18-400BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C2576KV18-400BZI
CY7C2563KV18-400BZI
CY7C2565KV18-400BZI
CY7C2561KV18-400BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-400BZXI
CY7C2563KV18-400BZXI
CY7C2565KV18-400BZXI
Table 11. Ordering Information (continued)
Speed
(MHz)
Ordering Code
Package
Diagram
Package Type
Operating
Range
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C2566KV18-450BZI | 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| CY7C293AL-35WC | 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24 |
| CY7C474-15DI | 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28 |
| CY7C474-15PI | 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28 |
| CZ12010T0050GBK | 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C2562XV18-366BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C2562XV18-450BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-400BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-400BZXI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C25632KV18-450BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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