参数资料
型号: CY7C2561KV18-450BZC
厂商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: SRAM
英文描述: 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
封装: 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165
文件页数: 25/29页
文件大小: 839K
代理商: CY7C2561KV18-450BZC
PRELIMINARY
CY7C2561KV18, CY7C2576KV18
CY7C2563KV18, CY7C2565KV18
Document Number: 001-15887 Rev. *E
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CY7C2563KV18 (4M x 18)
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AAA
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P
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QVLD
A
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TDO
TCK
AA
A
ODT
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TMS
TDI
CY7C2565KV18 (2M x 36)
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A
CQ
NC/288M
A
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BWS2
K
BWS1
RPS
A
NC/144M
CQ
B
Q27
Q18
D18
A
BWS3
KBWS0
AD17
Q17
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VSS
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Pin Configuration
The pin configuration for CY7C2561KV18, CY7C2576KV18, CY7C2563KV18, and CY7C2565KV18 follow.[2] (continued)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
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PDF描述
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CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
CY7C474-15PI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28
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参数描述
CY7C2562XV18-366BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C2562XV18-450BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C25632KV18-400BZC 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C25632KV18-400BZXI 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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