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参数资料
| 型号： | DMG1029SV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 480mA，320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG1029SV-7DIDKR |
DMG1029SV
1.0
0.9
50
f = 1MHz
0.8
0.7
40
C ISS
0.6
0.5
0.4
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
30
20
0.3
0.2
T A = 25°C
T A = -55°C
10
C OSS
C RSS
0.1
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
0
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Junction Capacitance
20
DMG1029SV
Document number: DS35421 Rev. 3 - 2
5 of 9
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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