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参数资料
| 型号： | DMG1029SV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 480mA，320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG1029SV-7DIDKR |
DMG1029SV
P-CHANNEL – Q2
0.8
0.8
0.7
0.6
V GS = -10V
0.7
0.6
V DS = -5.0V
T A = -55 ? C
T A = 25 ? C
0.5
0.4
0.3
V GS = -4.5V
V GS = -4.0V
V GS = -3.0V
0.5
0.4
0.3
T A = 85 ? C
T A = 125 ? C
T A = 150 ? C
0.2
0.2
0.1
V GS = -2.0V
V GS = -2.5V
0.1
0
0
1 2 3 4
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Output Characteristics
5
0
0
1 2 3 4
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Transfer Characteristics
5
8
7
6
8
7
6
5
V GS = -2.5V
5
4
4
I D = 100mA
3
2
1
V GS = -4.5V
V GS = -10V
3
2
1
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 11 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.8
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
8
2.0
7
V GS = -4.5V
T A = 150 ? C
1.8
1.6
V GS = -5.0V
I D = -500mA
6
5
4
3
2
1
T A = 125 ? C
T A = 85 ? C
T A = 25 ? C
T A = -55 ? C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = -10V
I D = -500mA
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 13 Typical On-Resistance vs.
0.8
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 14 On-Resistance Variation with Temperature
Drain Current and Temperature
DMG1029SV
Document number: DS35421 Rev. 3 - 2
6 of 9
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
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