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参数资料
| 型号： | DMG1029SV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 480mA，320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG1029SV-7DIDKR |
DMG1029SV
8
7
6
2.0
1.8
5
4
3
2
V GS = - 5V
I D = -500m A
V GS = -10V
I D = -500m A
1.6
1.4
1.2
-I D = 250μA
-I D = 1mA
1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 15 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
1.0
0.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 16 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
f = 1MHz
0.7
0.6
0.5
C iss
0.4
0.3
0.2
T A = 150 ? C
T A = 125 ? C
T A = 85 ? C
T A = 25 ? C
10
C oss
0.1
T A = -55 ? C
C rss
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 17 Diode Forward Voltage vs. Current
1
0
5 10 15 20 25 30 35
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 18 Typical Junction Capacitance
40
10
8
6
4
2
V DS = -10V
I D = -500mA
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 19 Gate-Charge Characteristics
DMG1029SV
Document number: DS35421 Rev. 3 - 2
7 of 9
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
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