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参数资料
| 型号： | DMG1029SV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 480mA，320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG1029SV-7DIDKR |
DMG1029SV
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT563
B
C
Dim
A
B
Min
0.15
1.10
Max Typ
0.30 0.20
1.25 1.20
K
G
D
M
C
D
G
H
K
L
M
1.55
-
0.90
1.50
0.55
0.10
0.10
1.70 1.60
- 0.50
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
0.30 0.20
0.18 0.11
All Dimensions in mm
H
L
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.2
1.2
Z
G
C1
X
Y
0.375
0.5
C1
1.7
Y
DMG1029SV
Document number: DS35421 Rev. 3 - 2
X
8 of 9
www.diodes.com
C2
0.5
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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