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参数资料
| 型号： | DMG3414U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 829.9pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3414U-7DIDKR |
DMG3414U
25
20
20
V GS = 10V
16
V DS = -5V
V GS = 4.5V
15
10
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
12
8
5
4
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
2
0
0.5
T A = -55°C
1 1.5
2
0.05
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.05
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
0.04
0.03
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
0.04
0.03
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.02
V GS = 4.5V
0.01
T A = -55°C
0.01
0
5 10 15
20
0
0
4
8 12 16
20
1.8
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.05
0.04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
V GS = 2.5V
I D = 5A
0.03
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.2
V GS = 4.5V
I D = 6.5A
0.02
V GS = 4.5V
I D = 6.5A
1.0
0.8
0.01
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG3414U
Document number: DS31739 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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