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参数资料
| 型号： | DMG3414U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 829.9pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3414U-7DIDKR |
DMG3414U
1.0
10
T A = 25°C
0.8
0.6
0.4
I D = 250μA
1
0.1
0.01
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
100,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
10,000
T A = 125°C
1,000
C iss
1,000
100
T A = 85°C
100
C oss
C rss
10
T A = 25°C
T A = -55°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
Fig. 9 Typical Total Capacitance
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 166°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
-T
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG3414U
Document number: DS31739 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG3415U | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
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| DMG3415U-7 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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