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参数资料
| 型号： | DMG3414U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 829.9pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3414U-7DIDKR |
DMG3414U
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT-23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
J
F
G
D
K1
L
M
J
K
K1
L
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
??
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMG3414U
Document number: DS31739 Rev. 4 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG3415U-7 | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 |
| DMG3415UFY4-7 | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 |
| DMG3420U-7 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 |
| DMG4406LSS-13 | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 |
| DMG4413LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG3415U | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
| DMG3415U-13 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG3415U-7 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG3415U-7-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:DMG3415U Series 20 V 39 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 |
| DMG3415UFY4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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