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参数资料
| 型号： | DMG3415U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 294pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3415UDIDKR |
DMG3415U
20
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
20
16
V GS = 2.5V
16
V DS = 5V
V GS = 2.0V
12
8
V GS = 1.5V
12
8
4
4
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
T A = -55°C
0
1
2
3
4
5
0.5
1
1.5
2
2.5
0.08
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.08
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.07
0.06
0.07
0.06
V GS = 4.5V
T A = 150°C
0.05
V GS = 2.5V
0.05
T A = 125°C
0.04
0.04
T A = 85°C
0.03
V GS = 4.5V
0.03
T A = 25°C
T A = -55°C
0.02
0.01
0
0.02
0.01
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.08
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
0.07
1.4
0.06
1.2
0.05
0.04
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.0
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.03
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.02
0.8
V GS = 2.5V
0.6
I D = 5A
0.01
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG3415U
Document number: DS31735 Rev. 11 - 2
3 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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