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参数资料
| 型号： | DMG3415U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 294pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3415UDIDKR |
DMG3415U
1.2
20
18
16
0.9
14
12
0.6
I D = 1mA
10
I D = 250μA
8
T A = 25°C
6
0.3
4
2
0
0
-50 -25
0
25
50
75
100
125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
T A = 85°C
100
10
T A = 25°C
1
T A = -55°C
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 171°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
D = 0.005
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMG3415U
Document number: DS31735 Rev. 11 - 2
4 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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