参数资料
型号: DMG3415U-7
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
产品目录绘图: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 294pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMG3415UDIDKR
DMG3415U
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
All 7°
Dim
A
SOT23
Min Max
0.37
0.51
Typ
0.40
K1
K
J
B
C
1.20
2.30
1.40
2.50
1.30
2.40
D
0.89
1.03
0.915
a
F
0.45
0.60
0.535
A
M
G
1.78
2.05
1.83
L
L1
H
J
K
2.80
0.013
0.890
3.00
0.10
1.00
2.90
0.05
0.975
C
B
K1
L
L1
0.903
0.45
0.25
1.10
0.61
0.55
1.025
0.55
0.40
M
0.085 0.150
0.110
D
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
a ? 8°
All Dimensions in mm
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
Z
DMG3415U
Document number: DS31735 Rev. 11 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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