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参数资料
| 型号： | DMG4468LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.95V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 867pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4468LK3-13DIDKR |
DMG4468LK3
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 76°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
TO252
Dim Min
Max
Typ
E
b3
A
c2
A
A1
2.19
0.00
2.39
0.13
2.29
0.08
L3
A2
b
0.97
0.64
1.17 1.07
0.88 0.783
b2
0.76
1.14
0.95
D
H
A2
E1
b3
c2
D
5.21
0.45
6.00
5.46 5.33
0.58 0.531
6.20 6.10
D1
e
5.21
?
?
?
?
2.286
L4
A1
E
E1
6.45
4.32
6.70
?
6.58
?
H
9.40 10.41 9.91
e
L
L
L3
1.40
0.88
1.78
1.27
1.59
1.08
2X b2
3X b
a
L4
a
0.64
0°
1.02
10°
0.83
?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y2
X2
Dimensions
Z
X1
X2
Value (in mm)
11.6
1.5
7.0
DMG4468LK3
Document number: DS31958 Rev. 3 - 2
Y1
X1
E1
C
Z
5 of 6
www.diodes.com
Y1
Y2
C
E1
2.5
7.0
6.9
2.3
June 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4496SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4511SK4-13 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4496SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4496SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4511SK4 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NP CH COM PAIR 35V TO2524L 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NP CH, COM PAIR, 35V, TO2524L 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NP CH, COM PAIR, 35V, TO2524L, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:8.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Power Dissipation Pd:1.54W , RoHS Compliant: Yes |
| DMG4511SK4-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4511SK4-7 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. |
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