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参数资料
| 型号： | DMG4511SK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 8mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG4511SK4-13DIDKR |
DMG4511SK4
N-CHANNEL, Q1
30
30
25
V GS = 8.0V
25
V DS = 5V
V GS = 4.5V
20
15
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
20
15
10
V GS = 3.2V
10
T A = 150°C
T A = 125°C
5
V GS = 3.0V
5
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
V GS = 2.8V
0.5 1 1.5
2
0
0
1 2 3 4
5
0.05
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.08
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.04
0.07
0.06
V GS = 4.5V
T A = 150°C
0.03
V GS = 4.5V
0.05
T A = 125°C
0.02
V GS = 8.0V
0.04
0.03
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0.01
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
1.3
1.1
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.9
0.7
0.02
0.01
V GS = 10V
I D = 10A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG4511SK4
Document number: DS32042 Rev. 4 - 2
4 of 9
www.diodes.com
July 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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