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参数资料
| 型号： | DMG4511SK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 8mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG4511SK4-13DIDKR |
DMG4511SK4
Package Outline Dimensions
TO252-4L
Dim Min Max Typ
E
b3
L3
A
c2
A
A1
A2
b
b2
2.19 2.39 2.29
0.00 0.13 0.08
0.97 1.17 1.07
0.51 0.71 0.583
0.61 0.79 0.70
D
L4
H
A2
A1
E1
b3
c2
D
D1
e
E
E1
5.21 5.46 5.33
0.45 0.58 0.531
6.00 6.20 6.10
?
?
5.21
?
?
1.27
6.45 6.70 6.58
4.32 ? ?
L
H
L
9.40 10.41 9.91
1.40 1.78 1.59
4X b2
e
5X b
a
L3
L4
0.88 1.27 1.08
0.64 1.02 0.83
a
0° 10°
?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X1
Dimensions
c
Value (in mm)
1.27
Y1
Y2
c1
X
X1
2.54
1.00
5.73
DMG4511SK4
Document number: DS32042 Rev. 4 - 2
c1
X (4x)
c
Y3
Y
Y
Y1
Y2
Y3
8 of 9
www.diodes.com
2.00
6.17
1.64
2.66
July 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4710SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4511SK4-7 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. |
| DMG4710SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMG4710SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4712SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMG4712SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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