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参数资料
| 型号： | DMG4511SK4-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 8mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG4511SK4-13DIDKR |
DMG4511SK4
3.0
2.7
2.4
2.1
20
18
16
14
1.8
12
T A = 25°C
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
I D = -250μA
10
8
6
4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 18 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,400
10,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 19 Diode Forward Voltage vs. Current
1,200
f = 1MHz
1,000
800
C iss
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
600
T A = 85°C
400
200
C oss
C rss
10
T A = 25°C
0
0
5 10 15 20 25 30
35
1
5
10 15 20 25 30 35
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 80°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 22 Transient Thermal Response
DMG4511SK4
Document number: DS32042 Rev. 4 - 2
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www.diodes.com
July 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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