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参数资料
| 型号： | DMN2019UTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2019UTS-13DIDKR |
DMN2019UTS
30
20
25
V GS = 8V
V GS = 4.5V
V GS = 3.0V
16
V DS = 5V
V GS = 2.5V
20
V GS = 2.0V
12
15
V GS = 1.5V
8
10
T A = 150°C
5
4
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
T A = -55°C
0.5 1 1.5
2
0.05
0.04
0.03
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1Typical Output Characteristic
0.04
0.03
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
T A = 150°C
0.02
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.02
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
4 8 12 16
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
20
1.6
0.04
1.4
V GS = 2.5V
I D = 5.5A
0.03
1.2
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.02
V GS = 2.5V
I D = 5.5A
1.0
0.8
0.01
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN2019UTS
Document number: DS35556 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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